Paměti ReDRAM založené na memristoru budou vyvíjet a vyrábět firmy HP a a Hynix

Dohodu o spolupráci na výrobě nového prvku obvodů – memristoru -- a jeho integraci do paměťových produktů uzavřely společnost Hewlett-Packard a Hynix Semiconductor.


Obě firmy hodlají vyvíjet nové materiály a integrační procesy, jež umožní komerční vývoj tzv. resistivní paměti s náhodným přístupem (Resistive Random Access Memory, ReRAM). Hynix bude technologii memristorů implementovat ve svém výzkumném a vývojovém pracovišti.

Řešení ReRAM představuje trvalou paměť s nízkou spotřebou energie a potenciálem nahradit dnešní flash paměti používané v mobilních telefonech a MP3 přehrávačích, či sloužit jako univerzální paměťové médium. Tato paměť se tedy může chovat jako flash, DRAM nebo třeba i pevný disk.

Memristory vyžadují k provozu méně energie, jsou rychlejší než současné technologie solid-state pamětí a dokážou uchovávat informace i bez napájení. Memristor neboli „paměťový odpor“ postuloval jako čtvrtý základní prvek obvodů profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roce 1971 a poprvé jej experimentálně prokázali vědci z HP Labs v roce 2006.

HP začátkem tohoto roku oznámilo, že memristor může řešit i logické funkce. Prokázalo tak, že zařízení založená na memristorech by mohla změnit standardní paradigma výpočetní techniky tím, že umožní provádět výpočty ve stejných čipech, v nichž jsou uložena data, a ne jen v samostatné centrální procesorové jednotce.











Komentáře