Samsung začal s výrobou 30nm MLC NAND čipů nové generace

Společnost Samsung Electronics začala koncem listopadu s velkokapacitní produkcí 32 Gb multi-level-cell (MLC) NAND flash čipů s kapacitou 3 bity na jednu buňku. Nové čipy jsou vyráběny 30nm technologií.


Nové MLC čipy budou určené zejména pro využití v USB flash discích a microSD kartách, nepočítá se s nimi naopak pro disky typu solid state (SSD). Podle výkonného viceprezidenta společnosti Samsung a manažera paměťové divize Soo-In Cho jsou 3bitové MLC NAND Flash pro ukládání dat o 50 % efektivnější než současné 2bitové.

Samsung představil první 50nm MLC NAND flash v roce 2005 a v současnosti má v tomto segmentu trhu 30% podíl a tyto čipy využívá ve svých zařízeních řada velkých světových výrobců. Podle údajů společnosti Gartner dosáhne v letošním roce objem trhu s NAND flash čipy 13,8 miliardy dolarů a v roce 2012 to má být již 23,6 miliardy.

Paměťové čipy Samsungu budou mít na trhu konkurenci v podobě 30nm 3bitových čipů MLC NAND flash od firem Sandisk a Toshiba. Ty v současnosti vyrábějí i 4bitové paměťové čipy MLC NAND flash s využitím 43nm výrobní technologie, které jsou při ukládání dat ještě efektivnější.

Zdroj: IT News.sk











Komentáře