Toshiba opět vylepšila nové paměťové čipy FeRAM

Japonský výrobce Toshiba oznámil pokrok ve vývoji nové verze své paměti FeRAM (feroelektrické RAM). Nový prototyp by měl oproti svým předchůdcům umožňovat až osmkrát rychlejší přenos dat.


FeRAM je relativně nový typ paměti, který kombinuje rychlost čipů DRAM a schopnost uchovávat data při vypnutém napájení, podobně jako paměťové flash čipy používané pro mobilní telefony, fotoaparáty a jiné přístroje. Součástí čipu je film z feroelektrického materiálu, který funguje jako kondenzátor. Oproti jiným flashovým pamětím se FeRAM liší větší rychlostí datového zápisu, a tedy i větším počtem zapisovacích cyklů, a také nízkou spotřebou.

Nový čip, o němž by měli být uveřejněny další detaily na právě probíhající mezinárodní konferenci Solid State Circuits v San Francisku, má disponovat kapacitou 16MB a rychlostí zápisu až 1,6 GB za vteřinu. Naposledy informovala Toshiba o svém výzkumu v roce 2006, kdy byla kapacita paměti 4MB, rychlost datového přenosu 200Mbps a a pracovní napětí činilo 1,8V.

FeRAM je tedy vyvíjen již delší dobu, ovšem stále ještě bez využití pro masovější výrobu. Toshiba tak nyní pracuje na možné komercializaci své technologie, ovšem zatím nemá žádné konkrétní plány na zahájení masové produkce čipů, a jak sama říká, cena zůstává jednou z největších překážek. Pro představu o ceně, 2Mbitová paměť FeRAM od konkurenční společnosti Fujitsu vyjde na 500 Korun.











Komentáře