Co nahradí flash a DRAM?

Společnosti Intel a ST Microelectronics spolupracují na vývoji nového typu pamětí, který by mohl z trhu postupně vytla...


Společnosti Intel a ST Microelectronics spolupracují na vývoji nového typu
pamětí, který by mohl z trhu postupně vytlačit dosavadní favority flash a DRAM
(Dynamic Random Access Memory).
Dva zmínění výrobci čipů ještě tento měsíc na sympoziu VLSI Technology na
Honolulu představí společně vypracovaný plán PCM (Phase Change Memory), v
angličtině známý také jako PRAM (Permanent RAM) nebo Ovonic Unified Memory.
Spolupráce ST Microelectronics a Intelu v některých oblastech, jako je
například vývoj NOR flash pamětí, již probíhá. Výzkum PCM se však doposud
vyvíjel odděleně. ST za použití 90nanometrového výrobního procesu vyvinulo
128Mb prototyp PCM a v budoucnu se chystá přijít s několikagigabitovými PCM,
což bude umožněno přechodem na 45 či 32nanometrovou výrobu. V plánu, který obě
společnosti co nevidět představí, by měly být mimo jiné zmíněny možnosti
produkce PCM za použití 90nanometrového výrobního procesu. Podle předběžného
prohlášení se firmám v testech prototypu podařilo dosáhnout vynikajících
výsledků a vysoké spolehlivosti. Doposud byla komercionalizaci PCM překážkou
hlavně nedostatečná kvalita materiálu a vysoká spotřeba elektrické energie.
Pokud se však Intelu a ST Microelectronics podaří tyto problémy opravdu
odstranit, můžeme počítat s nástupem PCM v dohledné době a v širokém spektru
výrobků.
Samsung PRAM
Již před více než rokem společnost Samsung Electronics světu představila
vlastní funkční prototyp 256Mb PRAM, která mezi paměťmi příští generace doposud
drží kapacitní rekord. Uvedení takového technologického kousku na trh bylo
umožněno snížením příkonu proudu ze 1-2 mA na 0,4 mA. "Očekáváme, že PRAM co
nevidět nahradí NOR flash paměti v mobilních zařízeních," prohlásil tehdy Hwang
Čchang-kju, CEO sekce polovodičů společnosti Samsung Electronics. Tehdy masivní
a rapidní komerční nástup předvídali i průmysloví analytici, jejich optimismus
byl však mírně přehnaný a na opravdový boom si asi ještě malinko počkáme dle
předpovědí dva až tři roky.(pat) 6 0974
Září 1966 Stanford Ovshinsky registruje první patent technologie fázové změny.
Září 1970 Gordon Moore zveřejňuje svůj výzkum na téma fázové změny.
Červen 1999 Vzniká firma Ovonyx, která má za cíl komercionalizaci technologie
PRAM.
Listopad 1999 Společnost Lockheed Martin spolupracuje s Ovonyxem na využití
PRAM pro vesmírný výzkum.
Únor 2000 Intel investuje do Ovonyxu a licencuje si technologii PRAM.
Prosinec 2000 ST Microelectronics licencuje technologii PRAM od Ovonyxu.
Červenec 2003 Samsung začíná práce na technologii PRAM.
2003 až 2005 Patenty související s PRAM byly registrovány například firmami
Toshiba, Hitachi, Macronix, Renesas, Elpida, Sony, Matsushita, Mitsubishi či
Infineon.
Srpen 2004 Samsung ohlašuje úspěšné 64Mb PRAM pole.
Únor 2005 Firma Elpida licencuje technologii PRAM od Ovonyxu.
Září 2005 Samsung oznamuje podařený prototyp 256Mb PRAM pole.
Prosinec 2005 Samsung licencuje technologii PRAM od Ovonyxu.
Co je to PCM?
Phase-Change Memory (PCM) je založena na speciálním materiálu, který vědci
označili jako phase-change (materiál fázové změny). Ten je totiž schopen měnit
svou strukturu, a to od amorfního ke krystalickému stavu, využitím energie
elektronů procházejících uvedenou hmotou.
Obě zmíněné podoby materiálu, amorfní a krystalická, představují základní stavy
paměti nulu a jedničku. Nula je přitom reprezentována amorfní strukturou,
jednička naopak krystalickou.
Oproti pamětím flash nabízí PCM řadu výhod. Jde například o vyšší rychlost nebo
spolehlivost, neboť zde nejsou přítomna takzvaná plovoucí hradla. Uvedená
hradla slouží k uchovávání většího počtu elektronů, přičemž více než tisíc
elektronů reprezentuje jeden binární stav. V případě technologie PCM je binární
stav představován pouze elektrickým odporem materiálu. Díky PCM lze data také
přímo zapisovat, aniž by bylo nutné původní záznam předem odstranit, což u
flash pamětí nelze. Využití může být široké počínaje spotřební elektronikou a
konče serverovými aplikacemi.









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.