DRAM budou vystřídány

Zcela nový druh paměťového zařízení pro ukládání dat vyvíjejí pracovníci firmy Hitachi společně s Cambridge Uni...


Zcela nový druh paměťového zařízení pro ukládání dat vyvíjejí pracovníci firmy
Hitachi společně s Cambridge University.
Phase-state Low Electron Drive memory (PLEDM), jak byl nový typ pamětí nazván,
je mnohem méně energeticky náročná než paměti typu DRAM, doba potřebná k zápisu
i ke čtení je výrazně kratší. Hlavním rozdílem je však schopnost udržet
informaci bez rychlého občerstvovacího cyklu, daná technologií výroby.
Tranzistory budou vyráběny 0,2mikronovou technologií na bázi oxidu křemíku. Na
buňce je vytvořena velmi tenká izolační vrstva, schopná zabránit vybití
elektronového náboje nesoucího informaci. Informace tedy bude možné čerpat
několikrát za sebou, bez nutnosti opakovaného zápisu a také samovolné vybíjení
je výrazně pomalejší.
Rychlost obvodů by měla dosahovat 10 ns, což je oproti stávajícím pamětem
výrazné zrychlení. To se potom pochopitelně může výrazně promítnout i do
rychlosti celých počítačových systémů. Vše se prozatím nachází ve fázi dalšího
vývoje a testování, avšak dle sdělení Hitachi s jasnou perspektivou.
9 1524 / ijan









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.