Inovace pamětí

Základní výhodou je vzestup výkonnosti Nové specifikace, určené pro paměť PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory) ...


Základní výhodou je vzestup výkonnosti
Nové specifikace, určené pro paměť PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)
instalovanou v mobilních telefonech pro sítě třetí generace, představily tři
významné japonské společnosti Fujitsu, NEC a Toshiba. Uvedené paměti, které
budou uvedené specifikace splňovat, se na trhu objeví pravděpodobně v březnu
příštího roku.
Základem spolupráce společností Fujitsu, NEC a Toshiba jsou specifikace
rozhraní (CosmoRAM Common Specifications for Mobile RAM Rev. 3) pro paměti
PSRAM. Paměti s novými specifikacemi by měly mimo jiné urychlit datové přenosy
uvnitř mobilních telefonů a také umožnit využívat paměťové moduly nezávisle na
tom, kdo z výše zmiňovaných společností paměť vyrobil (Toshiba a Fujitsu vyrábí
mobilní telefony pouze pro japonský trh, kdežto NEC je i vyváží).
PSRAM je paměť podobná SRAM, jež funguje jako vyrovnávací a pracovní paměť.
Strukturou se však přibližuje paměti DRAM a díky tomu je snazší vyrábět ji s
většími kapacitami. PSRAM podle představitelů Toshiby pracuje rychleji a
úsporněji, než tak činí konkurenční typy pamětí používané dnes v mobilních
zařízeních.
PSRAM je také často využívaná v zásobnících MCP (Multi Chip Package), které
obsahují čipy, které je vhodné umístit těsně u sebe, ale jež zatím není výhodné
umísťovat do jediného produktu.
Vyšší rychlost PSRAM má zvýšit datovou propustnost uvnitř mobilních telefonů,
což je základním předpokladem pro růst výkonnosti telefonů pro sítě 3.
generace. Avšak navrhovatelé v současnosti nejsou schopni uvést, jak nové
paměti mohou změnit technologický design nových přístrojů.









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.