Nanopaměti od Philipsu

Typ fázové paměti, která by v sobě spojila rychlost pamětí typu SRAM s kapacitou typu DRAM a stabilitou pamětí flash ...


Typ fázové paměti, která by v sobě spojila rychlost pamětí typu SRAM s
kapacitou typu DRAM a stabilitou pamětí flash vyvíjejí výzkumníci společnosti
Royal Philips Electronics.
Fázové materiály jsou využívány například při výrobě přepisovatelných médií
DVD, u nichž princip záznamu spočívá v zahřátí citlivé vrstvy laserovým
paprskem. Výzkumníci Philipsu nanesli na čip vrstvu tenkého filmu fázového
materiálu a obklopily ji dioxidem křemíku. Zápis do materiálu zde neprovádí
laser, ale náboj elektrického proudu. Ten zahřeje příslušné místo, což ve
výsledku změní odpor vrstvy s filmem, dle kterého se rozlišují bity 0 a 1.
Předchozí generace materiálů vyžadovaly příliš vysoké napětí pro zaznamenání
změny, a proto nemohly být prakticky využity v produktech CMOS. Změnu přinesl
až nový materiál založený na antimonu a teluriu, známý pod chemickou značkou
SbTe. Paměťové články Philipsu potřebují při své výrobě dva zvláštní
litografické procesy, ale i přesto by, dle informací firmy, výroba měla být
rychlejší. Představitelé společnosti očekávají, že nový typ pamětí dosáhne v
parametrech rychlosti, hustoty, nízkého napětí a nízké spotřeby úrovní
požadovaných od budoucích nanokřemíkových čipů. Rychlost zápisu fázových pamětí
je přibližně 100-200krát rychlejší než u typu flash a blíží se rychlostem
pamětí SRAM. Paměťovou hustotu mají vyvíjené moduly na úrovni čipů DRAM.
Vývojem nanopaměťových čipů se zabývají i další firmy, jako například Ovonyx,
Nantero či IBM. Právě IBM demonstrovalo na letošním CeBITu prototyp pamětí
Millipede, které nabízejí hustotu 153 GB na čtvereční palec. Jejich výroba bude
zahájena od roku 2008.









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.