Nová technologie výroby pro tranzistory CMOS

Nový způsob potlačení teplotní nestability a ztrátového proudu v tranzistorech MOS (Metal Oxide Semiconductor), oznámi...


Nový způsob potlačení teplotní nestability a ztrátového proudu v tranzistorech
MOS (Metal Oxide Semiconductor), oznámila společnost Toshiba.
Teplotní nestabilita tradiční NiSi (nikl-křemíkové) vrstvy vede ke ztrátám při
vedení proudu. Nová metoda výroby dodává na povrch NiSi vrstvy fluorové ionty,
které problémy se stálostí teploty eliminují.
Inovace technologie navíc nepřináší vyšší dodatečné náklady, neboť pro
implantaci fluorových iontů lze využít stávajícího výrobního zařízení. Zavedení
novinky nemá žádné negativní účinky na výkon stávající CMOS (Complementary
Metal Oxide Semiconductor) technologie. Zvyšování výkonu tranzistorů MOS je
podmíněno zejména udržením teplotní stálosti. Inovovaná technologie CMOS tedy
najde uplatnění v příštích výkonnějších generacích LSI (Large Scale
Integration).









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.