Proti záření v tranzistorech

Intel představil dvě nové změny ve struktuře tranzistorů a v použitých materiálech, které by ve druhé polovině dek...


Intel představil dvě nové změny ve struktuře tranzistorů a v použitých
materiálech, které by ve druhé polovině dekády měly umožnit produkci rychlých
procesorů s nízkou spotřebou.
"Můžeme udělat tranzistory, které budou velmi malé a rychlé, ale to již
přestává být hlavním cílem vývoje," řekl k tomu Gerald Marcyk z výzkumných
laboratoří Intelu a dodal: "Problémem totiž je, že spotřeba energie roste
exponenciálně." Dnešní Pentium 4 obsahuje přibližně 42 milionů tranzistorů a
lze očekávat, že se počet tranzistorů v procesoru každé dva roky zhruba
zdvojnásobí to za několik let povede k situaci, kdy procesory překonají hranici
miliardy tranzistorů v jediném čipu. Jejich spotřeba by pak byla 25krát větší
než dnes.
Jednou z novinek je použití nového materiálu pojmenovaného High K gate
dielectric (vysoké dielektrické K hradlo), který nahradí současný oxid
křemičitý. Intel zatím neví, který z nových materiálů použije ve hře jsou totiž
ještě oxid hlinitý a oxid titaničitý ale věří, že nové materiály mohou snížit
energetické ztráty (leakage) až 10tisíckrát.
Intel také hodlá ukládat každý tranzistor na slabou vrstvu křemíku, který by
fungoval jako izolační materiál. Výsledný tranzistor s ochuzeným substrátem
(depleted substrate transistor) by měl velkou měrou přispět k redukci
elektrických ztrát. Uvedený postup by navíc mohl snížit množství tzv. "soft
errors", které vznikají, když alfa částice z kontaminátů v procesoru bombardují
elektrony přenášející napětí uvnitř tranzistoru. To následně může vést k chybě,
například přeskočením hodnoty z 1 na 0.
1 2126 / kap









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.