Rychlé paměti RLDRAM

Infineon Technologies představil první 256Mbitové čipy DRAM pamětí s redukovanou latencí, nazvané RLDRAM (Reduced Late...


Infineon Technologies představil první 256Mbitové čipy DRAM pamětí s
redukovanou latencí, nazvané RLDRAM (Reduced Latency DRAM). Nová série DRAM
pamětí by měla směřovat do oblasti vysoce výkonných produktů, jako jsou
přepínače, routery, použití najdou také jako rychlé cache paměti apod.
Podle zástupců firmy Infineon se čipy RLDRAM mohou se pochlubit cyklem (doba,
za niž se realizuje jeden zápis nebo čtení z paměti) pouhých 25 ns. Pro
srovnání: Standardní paměti DRAM mají dobu cyklu asi 50 ns. RLDRAM moduly tak
zřejmě zaplní mezeru mezi SRAM a DRAM.
Nové RLDRAM čipy jsou vyráběné v T-FBGA pouzdru (Thin-Fine Pitch Ball Grid
Array), budou nabízeny ve dvou organizacích 8Mx 32 nebo 16Mx 16, obsahují také
DDR interface a budou pracovat s taktem až 300 MHz.
Cena 256MB modulu s pracovní frekvencí 200 MHz by se měla pohybovat kolem 54
dolarů.









Komentáře
K tomuto článku není připojena žádná diskuze, nebo byla zakázána.