3D NAND začíná ovládat trh

Přední výrobci se ve druhé polovině roku pustí do masové výroby flash pamětí s technologií 3D NAND.

3D NAND začíná ovládat trh


Technologie 3D NAND se letos podle odborníků stane přední technologií v oblasti flash pamětí. Velká část výrobců NAND už se pomalu přeorientovává právě na výrobu 3D NAND, která je oproti běžným 2D NAND zárukou větší efektivity a rychlosti, ale také nižších výrobních nákladů. Následují tak průkopníky Samsung a Micron, s tím, že masovou produkci 3D NAND čipů se 64 vrstvami začnou ve druhé polovině letošního roku.

3D NAND čipy jsou postavené na vertikálním vršení jednotlivých vrstev datových buněk do podoby mikroskopického mrakodrapu, přičemž společnosti Western Digital a Toshiba přišly s vlastním označením čipů, které nazývají BiCS (Bit Cost Scaling). Jako první taky začaly zkušební výrobu těchto čipů s kapacitou 512 Gb. První vzorky by se měly objevit koncem května, jejich hromadná výroba pak začne ve druhé polovině roku. Alespoň to ve své zprávě tvrdí společnost DRAMeXchange.

Pro firemní klientelu by rozmach 3D NAND měl znamenat levnější nevolatilní paměti pro využití například v datových centrech. I navzdory tomuto boomu by se ale celková produkce NAND neměla v průběhu roku nijak výrazně navýšit. Značnou část komponent totiž skupuje Apple, který se je chystá využít pro příští generaci iPhonů, a také výrobci SSD.

Jisté však je, že budoucnost bude patřit právě 3D NAND. Společnost SK Hynix už se chystá trumfnout současné maximum 64 vrstev a ve druhé půli roku chce začít s výrobou čipů o 72 vrstvách. Dominantní postavení na trhu však má podle reportu DRAMeXchange Samsung, jehož čipy se 48 vrstvami jsou zatím ty nejpoužívanější. V červenci na ně chce společnost navázat výrobou čipů se 64 vrstvami.

Druhým největší dodavatelem 3D NAND je Micron, u kterého 3D technologie tvoří víc než polovinu veškeré NAND produkce. Micron v současnosti prosperuje hlavně díky výrobcům pamětí, kteří využívají jeho 32-vrstvé čipy, ale také z výroby vlastních SSD pamětí postavených na technologii 3D NAND.

Úvodní foto: Toshiba










Komentáře