Kapacita flash úložišť dramaticky vzroste - na trh míří nové 3D NAND čipy - díky spolupráci Intelu a Micronu

Smartphony, tablety či počítače získají už brzy díky nový 3D flash čipům od Intelu a Micronu mnohem větší kapacitu. Novinka umožňuje vyrábět například SSD s velikostí žvýkačky o kapacitě přes 3,5 terabytů (TB) a standardní 2,5palcové SSD o kapacitě přes 10 TB. Ambiciozní plány s paměťovými 3D čipy oznámila i Toshiba.

Kapacita flash úložišť dramaticky vzroste - na trh míří nové 3D NAND čipy - díky spolupráci Intelu a Micronu


Díky 3D NAND čipům, které se začaly prodávat včera, se podle Briana Shirleyho ze společnosti Micron již brzy můžeme těšit na SSD disky s kapacitou přes 10 TB.  U high-endových tabletů nebo lehkých laptopů bychom se mohli dočkat SSD disků s kapacitou přes 3,5 TB.

Ve smartphonech nové čipy výrobcům umožní zdvojnásobit či ztrojnásobit kapacitu disku, aniž by jim vzrostly náklady. V současné době je maximální kapacita disku u telefonů 128 GB.

Fashové čipy by podle Shirleyho měly také zvýšit výkonnost a spolehlivost telefonů, počítačů a serverů. SSD jsou rychlejší a úspornější, než klasické pevné disky, ale jejich kapacita v současné době dosahuje maximálně 4 TB.

Společnost SanDisk nedávno oznámila plány na zahájení výroby 8TB SSD. SSD s nejvyšší kapacitou se typicky objevují u high-endových desktopů či serverů.

SSD jsou v porovnání s pevnými disky relativně drahé, ale jejich ceny každoročně o čtvrtinu klesají. A 3D NAND technologie umožní výrobcům prodávat disky s větší kapacitou za stejnou cenu.

Micron začne nabízet SSD s velkou kapacitou založené na nových čipech od druhé poloviny tohoto roku. Intel své plány na vydání disků zatím nespecifikoval.

Nové flashové čipy se velmi liší od standardních NAND flashových čipů, u nichž jsou jednotlivé články k ukládání dat skládány vedle sebe. U 3D NAND technologie jsou články naopak skládány vertikálně na sebe, díky čemuž se snižuje vzdálenost, na kterou s sebou články musejí komunikovat a data se tak přenáší rychleji.

Nová technologie používá vertikálního navrstvení buněk ve 32 vrstvách, čímž dosahuje 256 Gb v dvoúrovňovém (MLC) a 384 Gb v trojúrovňovém (TLC) stavu — tyto čipy je pak možné integrovat do standardního paměťového řešení.

Protože je této kapacity je dosaženo vertikálním vrstvením buněk, mohou být jejich rozměry i podstatně větší. To by mělo vést k vyššímu výkonu i životnosti, takže by se TLC řešení mohla používat i v datových centrech.

 

Klíčové produktové rysy 3D NAND podle Intelu a Micronu:

  • Velká kapacita – díky tomu se vejde 3/4 TB do jedné jednotky o velikosti konečku prstu.
  • Snížená cena na GB – První generace 3D NAND je navrhována tak, aby nabídla vyšší nákladovou efektivitu než dvojrozměrné NAND.
  • Rychlost – Velká pásmová šířka čtení/zápisu, I/O rychlosti a náhodného čtení.
  • Ekologická šetrnost– Nové režimy spánku umožňují provoz v nízkoenergetickém modu, kdy se odpojí přísun energie neaktivním NAND čipům (i když ostatní zůstanou aktivní). To výrazně sníží spotřebu energie v pohotovostním režimu.
  • Inteligentní technologie – Inovativní funkce zlepšují latentnost a zvyšují trvanlivost oproti předchozím generacím. Rovněž usnadňují systémovou integraci.

 

Aktualizováno: Také Toshiba oznámila, že připravuje 48vrstvé 3D NAND flash paměti, a to ve spolupráci se SanDiskem. Staví je na technologii BiCS (Bit Cost Scaling) a dovoluje vytvářet až prvky s kapacitou až 128Gb (16GB) na jeden čip.

I Samsung pracuje na 32vrstvých 3D flash čipech, které označuje jako V-NAND. Využívá 3 bity na tranzistor, díky čemuž lze dosáhnout vysoké kapacity.

Úvodní foto: Micron/Intel










Komentáře