Paměť DRAM s rekordní kapacitou a 10nm designem představil Samsung

Jihokorejský gigant se pochlubil první 8GB LPDDR4 DRAM pamětí, což je více než dvojnásobek kapacity ve srovnání s obvyklými DRAM paměťmi využívanými v osobních počítačích. Zvládne přitom přenášet data rychlostí více než 34 GB za sekundu a uplatnění najde i v mobilních zařízeních.

Paměť DRAM s rekordní kapacitou a 10nm designem představil Samsung


LPDDR4 (low power double data rate 4, tedy úsporné DDR) DRAM využívá novou 10nanometrovou výrobní technologii, která ji oproti dřívější 20nm technologii dává dvojnásobnou kapacitu.

Celá DRAM vznikla spojením čtyř nových 16Gb LPDDR4 pamětových čipů. Míry paměti jsou miniaturní: 15mm x 15mm x 1mm. Po této první vlaštovce hodlá Samsung 10nm výrobní proces rozšířit napříč svými výrobními linkami.

V současné době už využívá mnoho high-endových ultratenkých laptopů 8 GB DRAM paměti, ale LPDDR4 Samsungu umožní plně využít výrazně zvýšenou kapacitu především mobilním zařízením.

DRAM byla otestována v rychlosti až 4 266 Mb/s, což je dvakrát více, než mají standardní DDR4 paměti a umožní „provoz virtuálních strojů a plynulejší přehrávání 4K UHD videí, oblíbenou funkci dnešních prémiových počítačů,“ popisuje Samsung.

„S předpokladem 64bitové paměťové sběrnice lze toto považovat za přenos v rychlosti 34 GB dat za sekundu,“ dodává firma.

V srpnu minulého roku Samsung představil první 20nm 12Gb LPDDR4 DRAM. Po pouhých 14 měsících tak Samsung přichází s 10nm technologií; jde o znatelný úspěch firmy a můžeme se tak dříve těšit na ještě rychlejší mobilní zařízení s vyšším výkonem.

Úvodní foto: Samsung










Komentáře