Nastává revoluce v pamětích? NRAM míří do výroby

Na trh přicházejí nové non-volatilní paměti Nano-RAM (NRAM), které nabídnou až tisícinásobný výkon než běžné DRAM a přitom uchovávají data podobně jako čipy NAND. Podle expertů mají potenciál zcela nahradit současné typy RAM. Prvním výrobcem, který zahájil masovou výrobu, je Fujitsu Semiconductor.

Nastává revoluce v pamětích? NRAM míří do výroby


NRAM byly představené poprvé už vloni. Jsou postavené na bázi technologie carbon nanotube (uhlíkové nanotrubičky) a Fujitsu umožní jejich branding podle toho, kdo jej bude prodávat.  Koncem roku 2018 hodlá Fujitsu vyrobit paměťový modul s rozhraním DDR4.

Počáteční výroba ve Fujitsu počítá s výrobou NRAM postavených na bázi 55nanometrového procesu. V této velikosti ale budou moduly schopné uchovávat pouze megabajty dat. Ale dnes už se chystají systémy vyrobené pokročilejším procesem – tedy 40nanometrovým, tvrdí Greg Schmergel, CEO firmy Nantero, která NRAM vymyslela.  

První NRAM se pravděpodobně uplatní v serverech a dalších řešeních v datových centrech. Časem by ale měly najít uplatnění i dalších oborech včetně těch spotřebitelských a dokonce i v mobilech. Kvůli nízké spotřebě i díky tomu, že nevyžadují tzv. čistící operace, jako je tomu u čipů NAND, mohly by NRAM zvýšit výdrž baterie mobilů na neuvěřitelné měsíce (v pohotovostním režimu).

Fujitsu zatím neupřesnilo, zda první sady NRAM budou vyráběné jako DIMM (dual in-line memory module), ale Schmergel uvádí, že jeden jejich partner se chce zaměřit  na výrobu samostatného paměťového řešení s kapacitou gigabajtů a výrobním procesem 28 nm.

Současná NRAM se vyrábějí jako dvouvrstvé systémy, ale podobně jako u NAND se počítá s tím, že se v budoucnu objeví 3D čipy, které výrazně zvýší hustotu paměti (počítá se se 4-8 vrstvami).

Náklady na výrobu u dnešních NRAM jsou podle Schmergela zhruba poloviční ve srovnání s DRAM, a právě přechod do 3D podoby čipů tuto cenovou výhodu dále zvýší.

Výhodou NRAM má být také vysoká odolnost proti poruchám – zatím u buňky flash začnou poruchy už po 5-8 tisících cyklů zápis/mazání (P/E), nejlepší NAND systémy s podpůrnými řešeními typu ECC mají neporuchovou hodnotu P/E okolo 100 tisíc, u NRAM se otestovalo dokonce 1012 P/E cyklů.

Úvodní foto: Nantero










Komentáře