Samsung uvádí novou generaci ultrarychlých DDR 2.0 flash čipů

Zástupci společnosti Samsung tvrdí, že nové čipy mají třikrát vyšší rychlost oproti její současné generace a také nabízejí kapacitu 64 Gigabitů, což je dvojnásobek, než u DDR 1.0 flash čipů.

Nové NAND flash čipy mají být podle Samsungu využity primárně v mobilních zařízeních jako jsou smartphony a tablety a také v SSD discích. Rozhsaní DDR 2.0 pak má umožnit přenosovou rychlost až 400 Mb/s.

DDR flash čipy jsou na trhu dostupné ve dvou formátech – jeden je od společností Samsung a Toshiba a druhý vychází z ONFI (Open NAND Flash Interface) specifikace, kterou využívají firmy Intel, Micron, Sandisk nebo Hynix. Organizace ONFI v březnu ohlásila specifikaci DDR 2 s propustností také na úrovni 400 Mb/s, takže rychlosti jsou nyní zhruba vyrovnané.

Rozhraní DDR 2.0 přináší desetinásobné zrychlení oproti dnes nejrozšířenějším SDR NAND Flash čipům, které jsou omezeny na rychlost 40 Mb/s. Také rychlost samotných flash čipů je oproti DDR 1.0 trojnásobná, více než 133 Mb/s. Samsung očekává, že rostoucí požadavky na vyšší rychlost přenosu dat a kapacitu v mobilních přístrojích a také adopce rozhraní USB 3.0 a SATA III zvýší poptávku po nové generaci NAND flash čipů.