Samsung uvádí novou generaci ultrarychlých DDR 2.0 flash čipů

Samsung informoval, že začal vyrábět vysoce výkonné DDR 2.0 MLC (multi level cell) NAND flash čipy, které jsou navíc produkovány nejmenší 20nm technologií.


Zástupci společnosti Samsung tvrdí, že nové čipy mají třikrát vyšší rychlost oproti její současné generace a také nabízejí kapacitu 64 Gigabitů, což je dvojnásobek, než u DDR 1.0 flash čipů.

Nové NAND flash čipy mají být podle Samsungu využity primárně v mobilních zařízeních jako jsou smartphony a tablety a také v SSD discích. Rozhsaní DDR 2.0 pak má umožnit přenosovou rychlost až 400 Mb/s.

DDR flash čipy jsou na trhu dostupné ve dvou formátech – jeden je od společností Samsung a Toshiba a druhý vychází z ONFI (Open NAND Flash Interface) specifikace, kterou využívají firmy Intel, Micron, Sandisk nebo Hynix. Organizace ONFI v březnu ohlásila specifikaci DDR 2 s propustností také na úrovni 400 Mb/s, takže rychlosti jsou nyní zhruba vyrovnané.

Rozhraní DDR 2.0 přináší desetinásobné zrychlení oproti dnes nejrozšířenějším SDR NAND Flash čipům, které jsou omezeny na rychlost 40 Mb/s. Také rychlost samotných flash čipů je oproti DDR 1.0 trojnásobná, více než 133 Mb/s. Samsung očekává, že rostoucí požadavky na vyšší rychlost přenosu dat a kapacitu v mobilních přístrojích a také adopce rozhraní USB 3.0 a SATA III zvýší poptávku po nové generaci NAND flash čipů.











Komentáře