Intel a Micron začínají s produkcí flash čipů 34nm technologií

Podle vyjádření obou firem z tohoto týdne jejich společný podnik IM Flash Technologies (založený v roce 2005) začíná s masovou výrobou flash NAND čipů s pomocí 34nm technologie.



Podle vyjádření obou firem z tohoto týdne jejich společný podnik IM Flash Technologies (založený v roce 2005) začíná s masovou výrobou flash NAND čipů s pomocí 34nm technologie.

Do konce tohoto roku pak IM Flash Technologies očekává, že již zhruba polovina flashových čipů vyráběná v továrně v Lehi (v americkém Utahu) bude využívat právě 34nm technologii. Pro zajímavost, v jednom nanometru jsou zahrnuty tři až šest atomů, takže nejmenší tranzistory v nových paměťových čipech mohou být složeny z pouhé stovky atomů.

Intel ve svých vlastních továrnách, podobně jako například firma TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing), dosud používá 40-45nm výrobní proces. Jemnější struktura čipů však může přinášet vyšší výkon (díky menší vzdálenosti mezi tranzistory) a také nižší spotřebu.

IM Flash Technologies plánuje, že nové čipy najdou využití v SSD discích, paměťových kartách, digitálních fotoaparátech a kamerách nebo i hudebních přehrávačích.
Nenechte si ujít:
Ceny NAND flash pamětí prudce klesají

Gartner opět varuje před zpomalením v sektoru elektroniky

Výrobci PC před sebou mají těžké časy, tvrdí analytici

Vývoj IT trhu nevypadá příznivě, Forrester je stále pesimističtější

Další z velkých výrobců na tomto poli, Samsung, v současnosti upgraduje svůj 42nm výrobní proces a podle svých slov plánuje v příštím roce začít s produkcí 30nm flash čipů. První prototypy 64 Gb NAND flash čipů, vyrobených touto technologií, již Samsung předvedl v tomto roce.










Komentáře