Samsung, který byl zároveň první společností, jež v lednu 2015 začala využívat technologii FinFET jako takovou, podepsal exkluzivní smlouvu s americkým Qualcommem, kterému bude 10nm procesem vyrábět jeho vlajkovou loď mezi mobilními čipy, Snapdragon 830. Alespoň to tvrdí jihokorejský web Electronic Times.
Desetinanometrový výrobní proces umí vyrobit pokročilou 3D strukturu tranzistorů, která zlepšuje předchozí 14nm technologii. Podle výrobce mají čipsety vyrobené novým způsobem o 27 procent lepší výkon a o 40 procent nižší spotřebu energie než jejich přímí předchůdci. To znamená, že se v blízké budoucnosti můžeme dočkat mobilních zařízení nejen výkonnějších, ale i s vyšší výdrží baterie.
Zařízení využívající čipy vyrobené pomocí 10nm procesu první generace (10LPE) se začnou na trhu objevovat počátkem příštího roku. Druhá generace (10LPP) slibuje „nárůst výkonu“ a v praxi se začne využívat ve druhé polovině roku 2017, nejspíš taky v podobě Snapdragonu 831.
Je velice pravděpodobné, že Snapdragon 830 bude pohánět americkou verzi Samsungu Galaxy S8. Po problémech Galaxy Note 7, které jej stály miliardy dolarů, si Samsung bude v příštím roce jistě chtít napravit reputaci a vydat kvalitní zařízení, jež k němu opět přivede zákazníky.
Zdroj: Techspot.com
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU