Termín dosažení cíle je stanoven na rok 2016. Díky tomu by mělo být možné pak nabízet např. solid state disky s vyšší hustotou a tím pádem i s větší kapacitou. Úmyslem firem Intel, Toshiba a Samsung, které patří mezi nejvýznamnější hráče na trhu s polovodičovými prvky, je vytvořit konsorcium celkem 10 firem, které by se podílely na výrobě produktů pro polovodičový průmysl a další spřízněné obory.
Intel a Samsung již v současnosti dělají pokusy s litografickými technikami na atomární úrovni. Díky tomu je možné vytvářet tranzistory a paměťové buňky z křemíku o miniaturní velikostí a dnešní technologie umožňuje dosáhnout velikosti prvků 20nm, jež jsou schopny uchovávat jeden, dva nebo tři bity na jednu buňku. Tyto obvody jsou více než 3 000krát tenčí než běžný lidský vlas.
I když primárním cílem všech třech uvedených firem je dosáhnout vyšší hustoty u NAND flash čipů, Intel chce využít výsledků ještě k tomu, aby tuto technologii výroby mohl aplikovat i na mikroprocesory a docílit tak rychlejších a úspornějších čipů. Komentátoři ovšem varují, že menší velikost paměťových obvodů může znamenat vyšší riziko chybovosti, zvláště u MLC verzí, kdy je v jedné buňce uloženo více bitů informace.
NAND flash čipy, využívané hojně v SSD, jsou považovány experty za jednu z nejvýznamnějších technologií, která v posledních letech ovlivnila způsoby ukládání dat jak v datových centrech, tak stále více i v osobních počítačích a noteboocích (zejména v high-endových modelech). Díky využití v řadě dalších přístrojů, jako jsou smartphony, tablety či MP3 přehrávače a s tím spojené masové výrobě mohla cena NAND flash čipů klesnout na již poměrně příznivou úroveň. Vůči klasickým pevným diskům však stále SSD nejsou cenově konkurenceschopné a jejich výrobci se proto snaží nabídnout svoje produkty s co nejvyšší kapacitou za co nejnižší cenu. 10nm technologie by mohla znamenat další posun ve prospěch flash čipů.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU