eDRAM má být hlavním trumfem IBM

IBM představilo novou technologii paměti na čipu s údajně nejkratší přístupovou dobou, jaké kdy bylo dosaženo u eDRAM (embedded Dynamic Random Access Memory). Řešení vychází z technologie křemíku na izolantu (SOI), takže dosahuje vysokého výkonu při nízkém odběru energie. Zvyšuje tak výkon mikroprocesorů ve vícejádrových systémech a urychluje grafiku v počítačových hrách i síťových a multimediálních aplikacích, jež intenzivně pracují s obrazem (větší obrázek).

Nová technologie, která používá zátěžově odolný 65nm křemík na izolantu (SOI - Sillicon-on-Insulator) s hlubokou drážkou, podstatně zvyšuje výkon paměti na čipu - oproti konvenční SRAM (Static Random Access Memory) - zhruba na třetině místa a s jednou pětinou energetického odběru v pohotovostním režimu.


Technologie eDRAM má být hlavním trumfem 45nm mikroprocesorů IBM a bude k dispozici od roku 2008 (větší obrázek).

Mezi další průlomové inovace IBM patří materiál high-k, který zlepšuje funkci tranzistoru a zároveň umožňuje při jeho zmenšování překročit současné meze, dvoujádrové a vícejádrové mikroprocesory, měděné vodiče na čipu, tranzistory s křemíkem na izolantu a s kombinací křemíku a germania (Si-Ge), napnutý křemík a eFUSE, což je technologie umožňující počítačovým čipům automaticky reagovat na měnící se podmínky.


Některé specifikace technologie IBM eDRAM

• Velikost buňky: 0,126 mm²
• Napájení: 1 V
• Dostupnost: 98,7 %
• Mřížka (tile): 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
• Odběr proudu: 76 mW
• Udržovací odběr v úsporném režimu: 42 mW
• Doba náhodného cyklu: 2 ns
• Latence: 1,5 ns

Originální tiskovou zprávu IBM s dalšími informacemi najdete tady.


Foto: IBM