Intel hlásí průlom ve vývoji pamětí s fázovou změnou

Výzkumní pracovníci poprvé předvedli 64Mb testovací čip, který disponuje potencionálem stohování dalších čipů o stejné velikosti. Svůj objev považují za důležitý milník ve vývoji pamětí PCM (phase-change memory). Připravuje prý totiž cestu pro vytváření paměťových zařízení s větší kapacitou, nižší spotřebou energie a optimální úsporou prostoru.

Podle Grega Atwooda, vedoucího pracovníka Numonyxu, mají paměti PCM umožnit vytvářet produkty, které jednou nahradí flash paměti typu DRAM, NOR či NAND. Oproti nim totiž PCM nabízí lepší šířku pásma, větší hustotu a cenu za 1 GB kapacity srovnatelnou s dnešními Solid State disky.

Tak například litografická technologie současných flash pamětí NAND stagnuje na 32nm úrovni. Do budoucna se sice u NAND počítá s pokořením hranice 20 nanometrů, nicméně velkým problémem jsou fyzická omezení, která představují překážku pro vytváření pamětí s větší hustotou. „Naproti tomu paměti PCM v současné době umožňují škálování až do velikosti 5nm, navíc s potenciálem nárůstu hustoty“ říká Al Fazio, ředitel pro vývoj paměťových technologií u Intelu.

Intel se společností Numonyx na vývoji produktů PCM spolupracuje již od roku 2000. To podle Fazia rozhodně není obvyklá doba pro vývoj nového druhu paměti. Stejně tak společnosti zatím nemají stanovený časový horizont pro uvedení prvních výrobků s PCM na trh.