Hlavní navigace

Intel vyvinul výkonnější a úspornější 3D tranzistory

5. 5. 2011

Sdílet

Společnost Intel ohlásila, že dosáhla významný průlom ve vývoji tranzistoru. Vůbec poprvé od vynálezu křemíkových tranzistorů před více než 50 lety budou nyní do výroby uvedeny tranzistory využívající trojrozměrnou strukturu.

Intel zavede 3D tranzistor zvaný Tri-Gate, jehož základní obrysy byly poprvé představeny v roce 2002, do masové výroby ve své 22nm výrobní technologii v čipu, jenž je zatím kódově označován Ivy Bridge. Ty mají přijít na trh na konci letošního nebo na začátku příštího roku a nahradit stávající generaci Sandy Brdige. Více o nich najdete v článku Intel slibuje s procesory Ivy Bridge revoluci ve výkonu a grafice.

Trojrozměrné tranzistory Tri-Gate představují podle Intelu zásadní odklon od dvojrozměrných, plochých tranzistorů, které poháněly nejen všechny počítače, mobilní telefony a přístroje spotřební elektroniky, ale také elektroniku v automobilech, kosmických lodích, domácích spotřebičích, lékařských zařízeních a tisícovkách dalších zařízení, která každodenně používáme již po desetiletí.

Díky trojrozměrným tranzistorům Tri-Gate mohou procesory fungovat při nižším napětí s nižším únikem energie, takže oproti předchozím procesorům nabízejí lepší kombinaci energetické účinnosti a výkonu. To má poskytnout zvláštní flexibilitu konstruktérům čipů, kteří si mohou vybírat tranzistory určené pro nízkou spotřebu anebo naopak vysoký výkon – vše podle typu aplikace.

Trojrozměrné 22nm 3D tranzistory údajně nabízejí oproti plochým tranzistorům Intel 32nm nárůst výkonu o 37 procent při nízkém napětí. Díky této úspoře jsou tranzistory vhodné pro použití v malých úsporných kapesních zařízeních. Nové tranzistory spotřebují méně než polovinu energie potřebné pro staré tranzistory na 32nm čipech.