Ve středečním rozhovoru, který na společenské akci v San Francisku poskytl reportérům počítačových časopisů čelní představitel firmy Broacom Henry Samueli, nepadala zrovna optimistická tvrzení. Především s platností Moorova zákona nemám dále počítat...
Známý zákon mikroprocesorového světa tvrdí, že integrace většího množství transistorů na křemíkové substráty vede s každou generací procesorů k menším, rychlejším a levnějším čipům. Podle jeho logiky by možnost vyřezat více součástek z dané plochy měla průběžně snižovat cenu vycházející na jeden tranzistor. Tato pravidlo poprvé zformulovat spoluzakladatel firmy Intel Gordon Moore v šedesátých letech.
Ale podle Samueliho, který stál v roce 1991 u vzniku dalšího polovodičového giganta, firmy Broadcom, již podobný optimismus není na místě. Současné výrobní technologie jsou natolik komplikované a následně nákladné, že potřebné investice anulují potenciální úspory, které mohly přinést nové generace integrace polovodičových součástek.
„Dnešní vývoj cen je poměrně plochý. Výrobci čipů již nemohou počítat s rychlejší, úspornější a levnější generací výrobků, mohou si vybrat pouze dvě ze tří těchto vlastností....“
Henry Samueli uvedl příklad nových výrobních technologií High K Metal Gate a FinFET, používaných několik posledních let. V současnosti se velikost tranzistorů, podle které jsou parametry technologie charakterizovány, blíží k 14 nanometrům a výrobci jsou nuceni k výrazně komplikovanějším postupům, než jakým byla tradiční litografie.
Prostor pro zlepšování určitě existuje, ale postupně se zmenšuje. Během cca tří generací se výrobní detaily zmenší pod 5 nanometrů, kdy bude tranzistor prakticky tvořen deseti atomy. „Klasický tranzistor z jednoho atomu nevytvoříme a žádná očividná cesta dál v současnosti není. O použitelnou náhradu za tranzistor CMOS se svět snaží posledních padesát let.“
Efekt technologické bariéry se brzy projeví. Někteří výrobci procesorů zůstanou u současných výrobních technologií a výkonnější modely budou stát podstatně více než dříve. Jak podotýkají někteří analytici, na problémy s implementací FinFET ostatně narazila většina polovodičových továren a momentálně se snaží jít cestou 3D litografií, která vytváří více polovodičových vrstev beze změny velikosti tranzistorů. Zřejmě jedinou výjimkou je firma Intel, které se již podařilo dosáhnout komerční výtěžnosti u 14nm procesu.
Některé části například chytrých telefonů nemusí být nutně vyrobeny tou největší integrací, ale uživatelé si budou muset zvyknout, že nová elektronika bude mít automaticky nižší spotřebu a následně lepší životnost baterie.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU