O pamětech PRAM (phase-change RAM) jsme vás již blíže informovali zde a zde. Jde o typ pamětí, které nemusejí být pod neustálým napětím a stále se obnovovat, aby se zachovala data. PRAM jsou považovány za nástupce flash a do budoucna možná dokonce i DRAM (dynamic RAM). Intel PRAM je demonstroval poprvé na právě skončeném pekingském IDF.
Základem PRAM je chalkogenidové sklo, které lze upravovat působením tepla generovaného elektrickým proudem. Teplo mění fyzickou strukturu skla na jeden ze dvou stavů – krystalický či amorfní. Každý z nich má svůj specifický elektrický odpor, kde jeden reprezentuje jedničky a druhý nuly, potřebné k uchovávání dat v binární soustavě.
Intel a další společnosti spoléhají na tento typ paměti a to, že nahradí jak NOR tak NAND paměti flash, které jsou využívány hlavně v mobilních telefonech a dalších mobilních zařízeních, ale nechybí ani v klasických PC. Flash je v současnosti také jádrem technologií Robson a hybridních disků, které slouží ke zlepšení celkového výkonu systému. Otázka zní, zda PRAM bude schopna nahradit také DRAM. Podle Intelu tomu vše nasvědčuje a tak jí přeformuloval: „Bude DRAM nahrazena zcela nebo jen přepustí svou vedoucí pozici PRAM?“
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU