Výhoda tzv. MRAM (z anglického názvu magnetoresistive random access memory) spočívá v rychlosti čtení i zápisu dat, která je podobná jako u technologií SRAM či DRAM. Na druhou stranu MRAM je typem paměťové karty, na níž lze (podobně jako na flashové paměti) uchovat data bez problémů řadu let.
Technologie MRAM je tady již několik let, avšak varianta vyvíjená společností TDK s názvem STT-MRAM je novinkou. Na STT-MRAM společnost TDK pracuje již řadu let, avšak na veřejnosti byla tato technologie poprvé představena až v tomto týdnu na právě probíhajícím veletrhu Ceatec v Japonsku.
Na Ceatecu TDK ukazuje prototyp STT-MRAM, který čte a zapisuje data opakovaně vedle flashového čipu NOR, jenž dělá to samé. Výsledek? STT-MRAM čte a zapisuje data asi sedmkrát rychleji, než flashová paměť.
Jasné zatím není to, kdy se MRAM dostane do masové výroby, podle TDK by však kapacity (a trh) mohli být připraveni až za deset let.
Nutno dodat, že TDK není jedinou společností, která se snaží o komercializaci STT-MRAM.Hlavní konkurent této společnosti, americký Everspin Technologies, již začal STT-MRAM v malých množstvích dodávat na trh.
Lze ji najít například na místě cache paměti u pevných disků od firmy Buffalo Memory.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU