Samsung chystá superrychlé DDR solid state disky

Nový 512GB model má mít rychlost čtení dat 250 MB/s a sekvenční zápis pak 220 MB/s. Pro srovnání, například SSD X25-M od Intelu disponuje také rychlostí čtení 250 MB/s, ale zápis se podle specifikací výrobce pohybuje jen na 70 MB/s. Většina modelů na trhu se ovšem pohybuje na ještě nižších hodnotách.

Intel využívá 10 paralelních NAND flash kanálů k dosažení co nejvyšší rychlosti, spolu s technologií NCQ (Native Command Queing). Gregory Wong, analytik společnosti Forward Insingt, pak říká, že Samsung ve svých nových NAND čipech používá synchronní rozhraní oproti běžně využívanému asynchronnímu, díky čemuž dosahuje větší šířky přenosového pásma. Navíc pak podle Wanga nemusí nechat současně běžet tolik čipů paralelně jako Intel, což může přinést úsporu energie. Limitem je ovšem rozhraní SATA 3Gb/s, ale s novou specifikací SATA 6 Gb/s by bylo možné dosáhnout ještě vyšších rychlostí.

Samsung k výrobě používá 30nm litografickou technologii a jednotlivé flash čipy mají kapacitu 32 Gb. Co se týká zmíněné spotřeby, tu se Samsungu údajně podařilo snížit použitím nového řadiče, speciálně při tzv. DDR (Double Data Rate) režimu, kdy dochází ke značnému zrychlení oproti dřívějším 40nm čipům bez zvýšení spotřeby energie. Zmíněný řadič pak dokáže analyzovat frekvenci využívání a podle ní přepnout čipy do režimu nízké spotřeby, což má přinést delší výdrž baterie např. u přenosných počítačů.

Samsung k novým solid state diskům říká, že přinášejí rychlejší bootování systému i přístup k aplikacím a oproti klasickým hard diskům mají být údajně až devětkrát rychlejší. Disky také nativně podporují šifrování 256bitovým AES algoritmem a dále funkci TRIM ve Windows 7 pro práci s nevyužívanými bloky. Cena nebyla zatím zveřejněna.