Intel již pravděpodobně zná nástupce pamětí NOR flash využívaných například v mobilních telefonech. Bude jím paměť PRAM (Phase-change Random Access Memory), která stejně jako ta předchozí nemusí být pod neustálým napětím, aby si zachovala data. Jde v podstatě o jakéhosi hybrida mezi flash (nižší spotřeba elektrické energie) a DRAM (vyšší rychlost než flash).
Za použití 90nm technologie Intel postavil 128Mb čip, který zvládne 100 milionů cyklů čtení-zápis. Klasické moduly flash přitom selhávají už po nějakých 10 000 přepsání. PRAM navíc údajně dokáže uchovat data více než deset let, je menší než flash a do budoucna by měla být i o značnou část energeticky úspornější. Přesná rychlost zatím nebyla specifikována. Co se však týče přístupových dob, tak paměti flash mívají obvykle kolem 50 - 90 ns, PRAM by se měly pohybovat kolem 20 ns. To je podstatně lepší, nicméně stále velmi daleko od 3ns pamětí DDR2 DRAM.
Výrobou pamětí PRAM se nezabývá jen Intel. Na obrázku prototyp paměti od Samsungu s kapacitou 512 Mb (větší obrázek).
Pokud se Intelu časem podaří dostat přístupovou dobu pamětí PRAM na lepší úroveň, je možné, že kromě flash v některých situacích nahradí i DRAM oproti níž má hlavně "energetickou výhodu".
Praktické nasazení PRAM lze do budoucnosti očekávat například v ultravýkonných přenosných USB discích nebo zařízeních SSD (Solid-State Disk). Hybridní disky a základní desky s technologií Intel Robson (Intel Turbo Memory) by nahrazením modulů NAND kvalitní pamětí PRAM mohly také získat na výkonu.
Foto: Samsung
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU