Intel mění způsob charakterizace svých mikroprocesorů. Jejich velikost bude nově udávána nikoliv v nanometrech, ale v angstromech a stejně tak se mění terminologie související s výrobním procesem. Například stávající 10nm Enhanced SuperFIN proces bude nově nazýván Intel 7. Jde sice jen o názvosloví, ovšem podložené technikáliemi.
Výrobci jako Intel a AMD dlouhá léta definovali evoluci svých produktů prostřednictvím procesních technologií, nejdřív v mikronech, později v nanometrech. Definice 7nm procesu se však postupně stala natolik abstraktní, že dle Intelu prakticky pozbyla významu. Proto firma hodlá najet na novou metriku: výkon na watt.
Intel tento týden přišel s celkem třemi klíčovými informacemi. Zaprvé – firma opouští tradiční způsob definování nových procesů a mění tak způsob, jakým bude o jejich produktech mluveno. Zadruhé – končí éra nanometrů a začíná éra angstromů. Zatřetí – Intel si předsevzal, že se do roku 2025 na poli mikroprocesorů opět stane výrobním lídrem.
Nová terminologie
Výrobní technologie Intelu budou nově jmenovány jako Intel 7, Intel 4, Intel 3 a později Intel 20A. Primárně budou vyjadřovat, o kolik nová generace čipů zvyšuje výkon na watt oproti té předchozí. Dosud procesní technologie či výrobní uzly tradičně vyjadřovaly délku tranzistorové brány, základního stavebního prvku integrovaného obvodu. S rozvojem technologií se velikost jednotlivých bran zmenšovala a dle Moorova zákona se množství tranzistorů na čipu každých 18 až 24 měsíců zdvojnásobovalo.
Jak však před časem upozornil magazín ExtremeTech, naposledy délka brány odpovídala výrobnímu uzlu v roce 1997 a výrobci s ohledem na složitost celého procesu v zásadě začali nahrazovat skutečnou délku jejími ekvivalenty. Nová terminologie by měla přinést zjednodušení a přehlednost. 10nm SuperFIN proces zůstane u svého názvu, Enhanced SuperFIN, používaná u nových čipů Alder Lake, však bude nově nazývána Intel 7, přičemž na watt zaručí výkon vyšší o 10 až 15 %. Stávající 7nm proces bude nově značen jako Intel 4, s výkonem vyšším o 20 %, Intel 3, kterým by měly být vyvinuty čipy s očekávaným vydáním v druhé půli roku 2023, pak nabídne výkon vyšší o 18 %. V roce 2024 se pak objeví čipy vyrobené procesem nazývaným Intel 20A, respektive o rok později Intel 18A.
Poznejte angstromy
Intel také přechází na novou měrnou jednotku: angstromy; 1 Å = 0,1 nm. Firma do budoucna plánuje větší využití EUV litografie, jelikož ta klasická se začíná při stále menší velikosti polovodičů stávat nedostačující. EUV však má svá specifika. Kromě jiného je energeticky náročnější a také vyžaduje vakuum.
Výzvu představují rovněž tzv. stochastické účinky, které mohou vést k výrobním chybám. V každém případě se EUV jeví jako nezbytný faktor pro přechod k angstromové generaci, byť je otázkou, nakolik se v nadcházejících letech projeví ve výrobních nákladech a v důsledku tedy i v cenách čipů. Zvlášť, přihlédneme-li k jejich současnému nedostatku.
Nový transistor: RibbonFET
Novou generaci mají doprovodit též inovace ve výrobě tranzistorů, včetně jejich prvního redesignu od roku 2011, kdy Intel představil FinFET technologii. Zásadní jsou dvě novinky: technologie PowerVia čili přesun napájecích obvodů na zadní stranu tranzistoru a technologie RibbonFET, tedy nový GAA design.
Výsledkem by mělo být oddělení napájecích obvodů od datových a zároveň zjednodušení struktury a zhuštění datových cest. A zmínit je třeba také technologii Foveros Omni zvyšující hustotu spojů uvnitř čipu, respektive Foveros Direct ještě více snižující odpor spojů, tedy i spotřebu a zvyšující výkon.
Technologie by měly být v roce 2024 součástí Intelu 20A, přičemž v roce 2025 chce Intel opět stát v pozici výrobního lídra, kterou mu má definitivně stvrdit prozatím poslední jmenovaná technologie Intel 18A.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU