výsledky řadit dle: relevance | data

libovolné období | posledních 24 hodin | týden | měsíc | poslední rok | Nápověda




1.

Paměť DRAM s rekordní kapacitou a 10nm designem představil Samsung | 25.10.2016

Jihokorejský gigant se pochlubil první 8GB LPDDR4 DRAM pamětí, což je více než dvojnásobek kapacity ve srovnání s obvyklými DRAM paměťmi využívanými v osobních počítačích. Zvládne přitom přenášet data rychlostí více než 34 GB za sekundu a uplatnění najde i v mobilních zařízeních.


2.

Výkonné tříbitové 3D paměťové čipy začal vyrábět Samsung | 10.10.2014

Samsung Electronics začal s masovou výrobou vůbec prvních 3bitových 3D NAND flashových pamětí, jež bude možné využít u SSD disků pro počítače a další zařízení. Přinesou vyšší kapacitu i rychlost.


3.

Apple příští rok odebere 25 % světové produkce DRAM | 27.09.2014

Poptávka Applu po mobilní DRAM podle analytiků v příštím roce vzroste do té míry, že společnost bude odebírat celou čtvrtinu globální produkce těchto pamětí. Nárůst poptávky Applu je spojen s tím, jak firma DRAM integruje do více smartphonů, tabletů a dokonce i notebooků.


4.

Intel bude vyrábět 64bitové procesory ARM | 03.11.2013

Zajímavý směr nabrala spolupráce firem Altera a Intel, nečekaně vedoucí k výrobě čipů architektury ARM.


5.

„Diskové“ úložiště s technologií NAND | 14.08.2013

Flashové úložiště o buňkách menších než 20 nanometrů sníží spotřebu a cenu za gigabajt.


6.

Superrychlý SSD s kapacitou 800 GB a 500MB propustností představil Intel | 14.11.2012

Intel představil dvojici výkonných SSD. Zatímco model 335 Series je vhodný pro osobní počítače, produkt DC S3700 je optimalizován pro nejnáročnější úlohy v datových centrech.


7.

ARM do konce letošního roku spustí výrobu 20nm procesorů | 04.06.2012

Nový výrobní proces má přispět k delší výdrži baterií v chytrých telefonech a tabletech.


8.

TSMC začne příští rok vyrábět superminiaturní 20nm čipy | 13.12.2011

Díky tomu tchajwanský výrobce čipů předběhne i Intel, neboť ten bude v příštím roce nabízet čipy vyráběné "jen" 22 nm procesem.


9.

Samsung uvádí novou generaci ultrarychlých DDR 2.0 flash čipů | 15.05.2011

Samsung informoval, že začal vyrábět vysoce výkonné DDR 2.0 MLC (multi level cell) NAND flash čipy, které jsou navíc produkovány nejmenší 20nm technologií.


10.

19nm čipy NAND flash MLC představily společnosti Sandisk a Toshiba | 29.04.2011

64Gb paměťové čipy X2 NAND flash, jež jsou založeny na 19nanometrové výrobní techologii, představily společnosti Sandisk a Toshiba. Jde tak o nižší hodnoty, které začátkem dubna jako revoluční oznámily firmy Intel a Micron (tehdy šlo o 20nm řešení).