Od vynálezu tranzistoru v roce 1947 se tato technologie vyvíjela velice rychlým tempem a připravila cestu pro další levnější a energeticky efektivnější výrobky. Pokračování tohoto vývoje, a to tempem udávaným Mooreovým zákonem, přineslo mnohé inovace; v poslední době to byl „napnutý křemík“ („strained silicon“ – představen v roce 2003) a high-k/metal gate (představena v roce 2007). Nyní se společnost Intel chystá přijít s další radikální změnou designu tranzistorů - křemíkové tranzistory totiž vstupují do třetího rozměru.
Společnost Intel totiž představila tranzistor Tri-Gate, v němž je tranzistorový kanál pozvednut do třetího rozměru. Tok proudu je kontrolován na třech stranách kanálu (nahoře, vlevo a vpravo), a nikoli jen shora, jako je tomu v konvenčních plochých tranzistorech. Výsledkem by měla být podstatně vyšší kontrola nad tranzistorem, maximalizace toku proudu v případě maximálního vytížení a naopak jeho minimalizace, když je tranzistor vypnutý.
Dějiny tranzistoru a jeho klíčové milníky:
• 16. prosince 1947: William Shockley, John Bardeen a Walter Brattain z Bell Labs úspěšně vyrobili první tranzistor
• 1950: William Shockley vyvinul první bipolární tranzistor, tedy zařízení dnes nejčastěji označované jako tranzistor
• 18. října 1954: První tranzistorové rádio Regency TR1 bylo uvedeno na trh. Obsahovalo čtyři tranzistory z germania
• 25. dubna 1961: První patent získal Robert Noyce za integrovaný obvod. Původní tranzistory dostačovaly pro použití v rádiích a telefonech, ale pro potřeby elektroniky bylo zapotřebí něčeho menšího – integrovaného obvodu
• 1965: Je definován Mooreův zákon – Gordon Moore předvídá, že počet tranzistorů na čipu se bude každý rok zdvojnásobovat (o deset let později periodu upravil na dva roky). Tento svůj názor uveřejnil v článku v časopise Electronics Magazine. O tři roky společně s Bobem Noycem založili společnost Intel. Název je zkratkou sousloví „integrovaná elektronika“.
• 1969: Intel úspěšně vyvíjí první křemíkovou PMOS. Tyto tranzistory i nadále používají jako dielektrikum tradiční oxid křemičitý (SiO2), ovšem jsou zaváděny nové polykřemičité elektrody.
Kompletní historii spolu se zajímavostmi naleznete na sesterském magazínu CIO BusinessWorld.
Úvodní foto: © Vital Che - Fotolia.com
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU