Intel dokončil vývoj 32nm výrobního procesu

Společnost Intel dokončila vývoj nového výrobního procesu, který zmenší rozměr tranzistorů v počítačových čipech na 32 nanometrů. Probíhá také příprava na nový výrobní proces zvyšující výkonnost tranzistorů a jejich energetickou úspornost. Předběžné odhady hovoří o praktické použitelnosti ve čtvrtém čtvrtletí roku 2009.

Technické podrobnosti o novém, 32nm technologickém procesu, zveřejní Intel na konferenci International Electron Devices Meeting (IEDM) příští týden v San Franciscu. Cílem v současnosti prosazované "tick-tock" strategie je přibližně každých 12 měsíců střídavě představovat novou procesorovou mikroarchitekturu a výrobní proces. Zahájení výroby 32nm čipů v příštím roce znamená dodržení plánu již po dobu čtyř let.





Studie a prezentace společnosti Intel na téma 32nm výrobního procesu podrobněji popisuje technologický postup, využívající druhou generaci high-k + metal gate technologie, 193nm imersní litografii a pokročilé techniky napětí transistorů. Tyto funkce zvyšují výkon a energetickou účinnost procesorů Intel. Výrobní proces tak dosahuje nejvyššího výkonu hustoty tranzistorů ze všech dosud známých 32nm technologií.

Intel na konferenci IEDM představí i další studie, zabývající se zejména následujícími tématy: nízkoenergetickou verzí „systému na jednom čipu“ (System on Chip - SoC) vytvořeného 45nm procesem, tranzistory na bázi sloučeninových polovodičů, integrace chemických mechanických leštidel pro 45nm uzly a integrace pole křemíkových fotonických modulátorů. Intel se také zúčastní krátké přednášky na téma 22nm CMOS technologie.