Paměti PRAM: Kombinace výhod DRAM a flash

Technologie PRAM (phase change random access memory, někdy také jen PCM) se vyznačuje vysokou rychlostí, která byla dosud typická pro paměti typu DRAM, ale současně také schopností udržet uložená data i po odpojení od zdroje energie, což byla naopak vlastnost výrazně pomalejších pamětí typu flash.

Samsung očekává, že tyto nové paměti najdou uplatnění hlavně v oblasti mobilních zařízení a jedním z hlavních dnešních požadavků pro tyto přístroje je právě vysoká kapacita a rychlost. Nicméně stále důležitější je i otázka spotřeby, přičemž paměti PRAM díky zjednodušené logice pro přístup dat oproti DRAM mají i redukovanou spotřebu a výrobce očekává, že výdrž mobilních zařízení při provozu na baterie by se díky této technologii mohla zvýšit o více než 20 %.

Sei-Jin Kim, vice prezident paměťové divize Samsungu je přesvědčený, že paměti typu PRAM budou výrazným přínosem hlavně v oblasti mobilních telefonu a pro jeho společnost by se mohly stát v budoucnu jedním z klíčových produktů.

512 Mb PRAM dokáže vymazat 64 kiloslov dat v 80 milisekundách, což je desetinásobná rychlost oproti flash pamětem typu NOR. Datové bloky o velikosti 5 MB pak může paměť PRAM vymazat a přepsat zhruba sedmkrát rychleji, než čip typu NOR, uvádí Samsung. Srovnání s rychlostí flash čipů typu NAND však nebylo zveřejněno.

Samsung pro produkci čipů PRAM využívá zatím 60nm výrobní technologii, nicméně počítá s tím, že pro další generaci těchto pamětí budou využity i pokročilejší výrobní postupy. Nicméně nejprve musí postoupit jejich komerčním adopce a v tomto ohledu bude pravděpodobně primárním měřítkem cena (kterou Samsung zatím nezveřejnil). Detaily o vývoji PRAM a jejich technologii najdete (v angličtině) např. na Wikipedii.