Trojdimenziální (3D) V-NAND (vertikální NAND), jak mu Samsung říká, je čip druhé generace, který je složen z 32 pod sebou umístěných vrstev článků. Každý čip má kapacitu 128 GB k ukládání dat.
Zatímco předchodí generace čipu představená v srpnu 2013 využívala dva bity na jeden článek, nová verze využívá bity tři. Díky použití tří bitů na článek je výroba V-NAND podle Samsungu mimo jiné mnohem efektivnější.
Jedním z největších úspěchů, kterého se podařilo při výrobě V-NAND Samsungu docílit, je to, že v rámci vlastního procesu, který vertikálně spojuje jednotlivé vrstvy, lze pod sebe uložit až 32 vrstev s články.
I když by se mohlo zdát, že umisťováním jednotlivých vrstev NAND na sebe vzniknou tlustší čipy, podle Samsungu je navýšení tloušťky ve srovnání s nejpokročilejšími planárními NAND flashovými paměťovými čipy, jež jsou na trhu, zanedbatelné – čipy Samsungu jsou jen o několik mikronů těžší.
Narozdíl od planárních NAND, využívá V-NAND od Samsungu strukturu článků založenou na technologii 3D Charge Trap Flash (CTF) a proces vertikálního spojování řady článků.
Díky těmto technologiím poskytne 3D V-NAND od Samsungu oproti planárním NAND flashovým pamětem vyrobeným 20nm procesem značné výkonnostní výhody.
Samsung vydal první generaci V-NAND (s 24 vrstvami článků) minulý rok a druhou generaci V-NAND s 32 články představil tento rok v květnu. Nynější vydání 3-bitových NAND čipů s 32 vrstvami demonstruje to, že Samsung urychlil vývoj výrobní technologie V-NAND.
"Věříme, že náše nové 3-bitové V-NAND paměti, které poskytují dobrý poměr ceny a výkonu, urychlí přechod od pevných disků k SSD," uvedl v oficiálním prohlášení při příležitosti představení nových pamětí senior vice prezident oddělení pro marketing a prodej v Samsungu Jaesoo Han.
PŘEDPLATNÉ
ČLÁNKY DO MAILU