Konvenční paměťové čipy typu DRAM ukládají jedničky a nuly binárních informací pomocí elektrického náboje do jednotlivých paměťových buněk. Magnetorezistivní RAM (MRAM) naopak ukládá informace pomocí magnetického pole a rezistivní RAM (RRAM) ke stejnému účelu využívá materiálů s rozdílnými odporovými vlastnostmi.
„Tyto technologie se pomalu dostávají ven z laboratoří a nacházejí využití i jinde než ve specializovaných aplikacích,“ řekl Tom Coughlin, zakladatel Coughlin Associates, který o nových typech pamětí hovořil na konferenci Storage Visions v Las Vegas.
O nové technologie je mezi výrobci paměťových čipů velký zájem. Renesas, Hitachi a Micron Technology se společně účastní na projektu MRAM při japonské univerzitě Tohoku. O uvedení RRAM na trh se chce zase postarat americký startup Crossbar.
Aby se však obě paměti mohly stát masovější záležitostí, je podle Coughlina třeba udělat ještě hodně práce. Stejně tak musí dojít ke snížení jejich pořizovacích cen.
„Až se tak stane, zájem o architektury spojující paměť a úložiště vzroste. Uživatelé budou mít k dispozici paměť, která bude uchovávat data i po vypnutí počítače,“ řekl Coughlin.
Současné počítače používají DRAM ke spouštění programů a dočasnému ukládání systémových a aplikačních dat. Po vypnutí počítače se obsah DRAM vymaže, zatímco díky MRAM a RRAM bude možné v započaté práci pokračovat i po restartu zařízení.
Stejnou funkci sice již plní flash paměti používané například v tabletech, nové čipy však mají nabídnout vyšší výkon. Crossbar v případě RRAM hovoří až o 20krát větší rychlosti, 20krát menší spotřebě a 10krát delší výdrži oproti flash pamětím NAND.
S novými typy pamětí je však spojeno i několik otazníků. Dnes jsou například uživatelé zvyklí, že problém s počítačem mohou vyřešit jeho restartem. To by v případě RRAM A MRAM nemuselo být tak jednoduché. Prosté vymazání paměti by totiž odstranilo i data, která chce uživatel zachovat.